串联谐振和并联谐振品质因数公式

发布日期：2021-07-19　点击：3820次

Ø发射到接收的隔离度，TXLeakagetoRX,是指发射引脚的信号泄漏到接收引脚的程度，一般村田和EPCOS双工器的发射接收隔离度在55dB以上；

LTE基站的普遍功率为40W，46dBm，假设基站部署的频率是2.4GHz,那么20公里外的信号大小只有46-126=-80dBm，依然足够手机使用；但如果是5G基站，部署在n78频段，频率是3.5GHz，那20公里以外的信号大小是多少呢？46-129.3=-83.3dBm，如果要保持和LTE基站同样的覆盖率，相应的功率就要提高3.3dB，差不多是加大一倍。

在含有电容和电感的电路中，如果电容和电感并联，可能出现在某个很小的时间段内：电容的电压逐渐升高，而电流却逐渐减少；与此同时电感的电流却逐渐增加，电感的电压却逐渐降低。而在另一个很小的时间段内：电容的电压逐渐降低，而电流却逐渐增加；与此同时电感的电流却逐渐减少，电感的电压却逐渐升高。电压的增加可以达到一个正的最大值，电压的降低也可达到一个负的最大值，同样电流的方向在这个过程中也会发生正负方向的变化，此时我们称为电路发生电的振荡。

有载品质因数

1是一串联谐振电路，它由电容C、电感L和由电容的漏电阻与电感的线电阻R所组成。此电路的复数阻抗Z为三个元件的复数阻抗之和。

品质因数单位

《集成电路应用》杂志国内统一连续出版物号：CN31-1325/TN；国际标准连续出版物号：ISSN1674-2583。国家新闻出版广电总局首批认定的中国A类学术期刊，中国知网优先首发。中国知网、维普网、万方数据、CSCD数据库刊源收入。中国集成电路产业唯一国家核定的学术月刊。

钽电解电容(Tantalumelectrolyticcapacitors)

近期项目中遇到某DC-DCSW输出波形产生振玲现象产生杂波通过传导耦合射频带内影响到带内杂散指标案例，最终通过调试预留的Snubber电路消除SW振荡波形得已解决。一般DC-DC设计都会预留Snubber电路以防DC-DC相关的EMI问题，但是具体Rs,Cs如何计算取值，了解的人并不多，决心花点研究一番，本文从理论推导+仿真+实测验证几个方面对Snubber电路进行剖析，希望对读者有帮助，如有纰漏还请指正。

气体放电管一般由上面的图标表示，尤其是左上角的图标，空气放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成。当加到两电极端的电压达到使气体放电管内的气体击穿时，气体放电管便开始放电，器件变为短路状态，使电极两端的电压不超过击穿电压。气体放电管一旦导通后，它两端的电压会很低。气体放电管有两极和三极之分，可分别用于线间和线－地间的保护。气体放电管的基本特点是：通流量容量大，绝缘电阻高，漏电流小。但残压高，一般会有20~50V，反应时间慢(几百ns到几us)，动作电压精度较低，有续流现象。但由于通流量比压敏电阻和TVS管都要大得多，因此一般放在被防护电路的最前级，后级的压敏电阻和TVS管响应时间很快，对后级电路的保护效果更好。

品质因数

瞬态抑制二极管TransientVoltageSuppressor与压敏电阻类似，也是利用器件的非线性特性把过压钳制到一个相对降低的水平以实现对后级电路的保护，在外界的高压消失以后，TVS管恢复高阻状态。TVS管的主要参数有：反向击穿电压VBR、最大钳位电压Vclamp、瞬时功率、结电容、响应时间等。TVS管的响应时间是ps级的，在所有浪涌防护器件中是最快的。结电容有高结电容型和低电容型，其中低结电容型的结电容由几pF到几十pF，可以用于高频电路的防护；TVS管有个优点是可以灵活选择单向和双向类型的，在直流电源或者单极性信号电路中应用，可以获得更低的钳制电压。

有些应用场合对电路的效率有很高的要求，对snubber电路消耗的功率也需要进行限制。遇到这种情况，可以适当调整snubber电路的元件值，在PWM信号的振铃和功率消耗之间取得平衡。

通常电感和电容的损耗是随其上电流的频率升高而增大的。谐振频率越高，等效损耗电阻越大。折算到谐振电路里的串联电阻就越大。电路的品质因数下降。所以谐振电压降低。

TVS管响应速度够快，IPP够大，功率可以达到上千W，作为前级防护电路，可以最大限度的吸收能量，但残压相对较高；

Ø功率容量，指的器件最大允许输入的功率信号大小，一般以CW波标注，大部分功率容量为30dBm，5000小时；

电感品质因数

按键按下去就相当于上电那一瞬，让电容短路。后面的事都一样了。

串并联品质因数

分布参数电路：指电路中同一瞬间相邻两点的电位和电流都不相同。这说明分布参数电路中的电压和电流除了是时间的函数外，还是空间坐标的函数。一个电路应该作为集总参数电路，还是作为分布参数电路，或者说，要不要考虑参数的分布性，取决于其本身的线性尺寸与表征其内部电磁过程的波长之间的关系。若用L表示电路本身的最大线性尺寸，用λ表示电压或电流的波长，则当不等式 λL成立，电路便可视为集总参数电路，否则便需作为分布参数电路处理。电力系统中，远距离的高压电力传输线即是典型的分布参数电路，因50赫兹的电流、电压其波长虽为6000千米，但线路长度达几百甚至几千千米，已可与波长相比。通信系统中发射天线等的实际尺寸虽不太长，但发射信号频率高、波长短，也应作分布参数电路处理。

现在今天要介绍的主角“S参数”就正式登场了。在仿真中我们一般都用S参数来代表无源网络。S参数也被称为散射参数，适用于分布参数电路。

而共轭匹配，是从源端往左右看，阻抗互为共轭，也就是说我不管信号源出来的信号到了传输线发生了什么，也不管传输线到负载端发生了什么，有反射没有，我只管整个射频通路中的电抗为零，只有电阻，这样的匹配就叫共轭匹配。

其中8pF电容是滤除射频噪声常见的电容，自谐振频率SRF=2650MHZ，属于LTE的B41频段，假设实际DCDC干扰频点就是LTEB3的1850MHz和LTEB41的2650MHz，我们能否根据电容的谐振频率再增加一个pF级电容呢？查看村田公司的数据库，我们发现，18pF电容谐振频点接近1850MHz

多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量最大的电容类型，标准化封装，尺寸小，适用于SMT表贴工艺，常见的封装1210，0805，0603，0402，0201，属于英制尺寸。