影响介质损耗因数测量结果的因素有哪些？

发布日期：2021-04-20　点击：3393次

全自动抗干扰介损测试仪（介质损耗测试仪）是四方国瑞电力产品研发部参照最新的行业标准以及电力试验规程规范研发生产的高精度介质损耗测试仪，采用了最新的变频技术，滤掉了工频现场产生的干扰，保证仪器在强电场干扰下准确测量，采用了高压升压变压器，完善的过零合闸、防雷击等安全保护措施，试验过程中输出0.5KV～10kV不同等级的高压，使用过程中操作简单、安全，适用于发电厂、变电、互感器制造厂家以及电力检修部门，  

相信很多人想了解影响介质损耗因数测量结果的因素有哪些？下面就为大家一一介绍：  

（1）温度的影响，温度对tanδ有直接影响，其程度随绝缘材料、设备结构的不同而异，一般情况下，tanδ随温度升高而增大，为了便于比较，应将不同温度下测得的tanδ值换算至20℃，再进行比较，  

油浸式电力变压器的温度换算公式为：  

tanδ2=tanδ1×1.3（t1-t2）/10  

式中，tanδ1 、tanδ2分别为t1、t2时的tanδ值，  

由于被试品的真实平均温度很难测准，对换算结果的正确性收到影响，因此，应尽可能在10-30℃温度下进行测量，最好每次在相近温度下测量，  

受潮的绝缘材料在0℃以下时水分会冻结，tanδ会降低，因此，过低温度下测得的tanδ不能反映真实的绝缘状况，故测量tanδ的温度不应低于5℃，  

（2）试验电压的影响，良好绝缘的tanδ不随电压的升高而明显增加，若内部有缺陷，则其tanδ将随试验电压的升高而明显增加，  

（3）Tanδ与试品电容的关系，对电容量较小的设备（如套管、互感器、耦合电容器等），测量tanδ能有效地发现局部集中性和整体分布性的缺陷，但对电容量较大的设备（如大、中型变压器等），测量tanδ只能发现绝缘的整体分布性缺陷，因为局部集中性的缺陷所引起的损坏增加只占总损耗的极小部分，容易被掩盖，设备绝缘结构总是由许多部件构成并包含多种材料，可以看成是由许多串、并联等值回路组成。